Proizvođač Broj Proizvoda:
TSM60N900CI C0G
Product Overview
Proizvođač:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Broj dijela:
TSM60N900CI C0G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 4.5A ITO220AB
Detaljan opis:
N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Inventar:
12894521
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
Minimalno 1
KLy2
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
TSM60N900CI C0G Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Taiwan Semiconductor
Pakovanje
Tube
Serija
-
Status proizvoda
Obsolete
FET tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod na izvorni napon (Vdss)
600 V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
480 pF @ 100 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks.)
50W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Paket uređaja dobavljača
ITO-220AB
Paket / Slučaj
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Osnovni broj proizvoda
TSM60
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Podatkovne tablice
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ostala imena
TSM60N900CIC0G
TSM60N900CI C0G-DG
Klasifikacija okoliša i izvoza
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DIJELA
IRFIB6N60APBF
PROIZVOĐAČ
Vishay Siliconix
KOLIČINA DOSTUPNA
900
BROJ DIJELA
IRFIB6N60APBF-DG
JEDINIČNA CIJENA
1.71
TIP ZAMJENE
Similar
BROJ DIJELA
IRFIBC40GLCPBF
PROIZVOĐAČ
Vishay Siliconix
KOLIČINA DOSTUPNA
0
BROJ DIJELA
IRFIBC40GLCPBF-DG
JEDINIČNA CIJENA
2.10
TIP ZAMJENE
Similar
DIGI Certifikat
Povezani proizvodi
TSM2303CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 30V 1.3A SOT23
DMT3009LFVWQ-13
MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
DMTH10H010SCT
MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
